第260章 国产光刻机重大成功

102所与沪市微电子研究所，加上全国三十七个科研单位、六十二个工厂，总共有两千余人参与研发制造，加上与asml交流的关键工台技术，历经六年时间，拆了六台光刻机，总投入高达数十亿美元，终于结出丰硕的成果。

1993年11月，193纳米氟化氩激光光刻机完成技术攻关。并通过国家论证。

型号有两款，代号分别为gk193bj型和gk193ty型。

gk193ty型为投影式光刻机，主要研发单位是沪市微电子研究所，工台关键技术是逆向asml pa3000光刻机，光源使用的是102所提供的氟化氩激光光源，透镜系统也是102所所设计制造的。

gk193ty型投影式光刻机优点是精度高，投影准确，控制性好，但缺点是效率不高，完成一块晶圆的光刻过程，需要的时间是步进式光刻机的数十倍。

在商用上面，投影式光刻机属于淘汰的技术，不过在不计较成本的军用上，或者高性能大型计算机上面，尚有用武之地。

而gk193bj步进式光刻机，主要技术来自与asml、西门子以及飞利浦交流的技术，主要研发单位是102所。

与投影式光刻机相反的是，步进式光刻机最大的好处就是在牺牲一定的稳定，保证良品率的前提下，具备相当高的光刻效率，最适合商用化，可以显著降低芯片的成本……

新光刻机的测试早就开始了，试验的制程是130纳米，finfet半导体结构，直接光刻。

而gk193ty投影式光刻机尚能保持42%的良品率。

用多重曝光技术探索65纳米制程，gk193bj步进式光刻机已经很无力了，良品率再次崩塌式下降，一块三英寸晶圆，几百块芯片，碰巧有一两块合格，良品率已经不足1%！

用130纳米制程制造的armv6处理器，速度直接飙升了1.5ghz，直接冲破了1ghz速度的大关。

甚至在45纳米制程上，步进式光刻机已经无用了，但gk193ty投影式光刻机仍然可以达到14%的良品率。

102所技术攻关团队继续向90纳米制程探索，gk193bj步进式光刻机成功完成90纳米制程的探索，不过良品率直接降到了32%。

而使用gk193ty投影式光刻机，完成90纳米制程的光刻，良品率可以上升两倍，达到67%。

事实证明finfet半导体结构，具备优良的物理性能，根本不需要改变就可以直接应用到130纳米。

45纳米制程已经是193纳米波长氟化氩激光光刻机的极限了，32纳米制程则遇到非常严重的光干涉物理现象。

当然在理论上，使用多重曝光技术，是可以完成32纳米制程的光刻，但理论上用32纳米制程，制造只有两千万晶体管的armv6处理器，需要的掩膜版多达一百多张，工序多达三百多道。

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